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- Tecnologia: DDR3L SO-DIMM
- Densità: 4GB (4096MB)
- RoHS: Sì
- Conteggio dei pin: 204-pin
- Temperatura operativa: da 0C a +85C
- Tasso di dati: DDR3L-1600
- Velocità: PC3-12800
- CL: 11
- Tempo di ciclo: 1.875ns
- Tensione: 1.35V
- ECC: Non ECC
- Ranghi del modulo: Doppio rango
- Registro: Non Parità
- PCB a 8 strati a basso rumore
- Soddisfa e/o supera le specifiche Apple/Intel
- Completamente conforme alle specifiche JEDEC
- Certificato RoHS